光焱量子科技激光掃描缺陷測繪系統

簡要描述：光焱量子科技激光掃描缺陷測繪系統激光掃描缺陷影像儀，是激光束誘導電流測試（LBIC）的升級版，利用波長能量大于半導體能隙大的激光束，照射在半導體后產生的電子-空穴對，通過快速的掃描樣品表面，獲得影像分布，可以得到內部電流的變化來了解分析各種的缺陷分布，幫助分析樣品制備質量以及幫助工藝改進。

產品型號： LSD4

所屬分類：光焱量子效率測量系統

更新時間：2023-08-03

廠商性質：經銷商

留言詢價聯系我們

詳情介紹

品牌	其他品牌	應用領域	醫療衛生,化工,生物產業,能源,電子/電池

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統產品敘述

激光掃描缺陷影像儀，是激光束誘導電流測試（LBIC）的升級版，利用波長能量大于半導體能隙大的激光束，照射在半導體后產生的電子-空穴對，通過快速的掃描樣品表面，獲得影像分布，可以得到內部電流的變化來了解分析各種的缺陷分布，幫助分析樣品制備質量以及幫助工藝改進。

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統規格

型號	項目	規格
1-1	激發波長	a. 405 ± 5 nm（高可擴充至 4 個雷射） b. 多波長切換設計 c. 可軟件控制輸出波長
1-2	激光光點	a. TEM00 光斑 b. 單一波長光斑 < 100 um c. 全系列波長 < 200 um
1-3	掃描范圍	a. 掃描面積：10 cm x 10 cm b. 可客制超過 16 cm x 16 cm之掃描范圍
1-4	掃描分辨率	a. 掃描分辨率 - 10 um, ? 20 mm x 20 mm - 50 um, ? 100 mm x 100 mm b. 掃描頻率 - 10 Hz, 25 Hz及 50 Hz - 10 Hz, ? 4,000,000 像素 c. 可由軟件設定掃描分辨率
1-5	訊號量測模塊	a. 16 bit A/D 解析能力 b. S/N 可達>1000 以上 c. 超低噪聲放大器模塊
1-6	量測時間	a. <1 mins (For 20 mm x 20 mm with 50 um resolution) b. <13 mins (For 160 mm x 160 mm with 50 um resolution)
1-7	尺寸	60 cm x 60 cm x 100 cm
1-8	測量分析軟件	a. 激發波長切換 b. 雷射功率調整 c. LBIC 3D 圖示 d. 2D 剖面分析（電深寬度比） e. 光電流回應分布分析（搭配長波長激光器） f. 數據保存與輸出功能
1-9	計算機系統	a. x86 兼容計算器包含屏幕鍵盤與鼠標 b. 微軟操作系統
1-10	選購項目1：連續光雷射	a. 可添加 375 nm/ 450 nm/ 520 nm/ 638 nm/ 650 nm/ 780 nm ± 5 nm b. b. 小功率：50 mW c. TEM00 輸出 d. 功率輸出穩定度：<2 %
1-11	選購項目2：外加偏壓功能	a. 可施加偏壓（0~5 V）（可擴充更大電壓范圍） b. 軟件控制(選配)

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統特點

● 可掃描光電流在樣品表面的分布圖像
● 可掃描各光電壓在樣品表面的分布圖像
● 可掃描開路電壓與短路電流分布
● 可分析表面臟污。
● 可分析短路區域分布
● 可辨識分析隱裂區域。
● 可分析少數載子擴散長度分布 (選配)
● 可做單波長量子效率 Mapping

上一篇：SS-F5-3A光焱量子科技太陽光模擬器

下一篇：PAS光焱量子科技太陽能電池老化設備

光焱量子科技激光掃描缺陷測繪系統

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統產品敘述

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統規格

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統特點

留言框

產品：

您的單位：

您的姓名：

聯系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細地址：

補充說明：

驗證碼：

光焱量子科技激光掃描缺陷測繪系統

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統 產品敘述

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統 規格

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統 特點

留言框

產品：

您的單位：

您的姓名：

聯系電話：

常用郵箱：

省份：

詳細地址：

補充說明：

驗證碼：

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統產品敘述

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統規格

ENLI LSD4 激光掃描缺陷測繪系統特點